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納米錫鉍合金粉-納米合金粉體

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技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品歸類	型號	平均粒徑（nm）	純度（%）	比表面積（m2/g）	體積密度（g/cm3）	晶型	顏色
納米級	CW-Sn42Bi58	50	99.8	13.46	0.64	球形	黑色
亞微米級	CWSn42Bi5802	500	99.5	1.245	1.56	球形	黑色
加工定制	根據(jù)客戶需求適當調(diào)整產(chǎn)品合金比例

產(chǎn)品特點
通過可變電流激光離子束氣相法可制備粒徑與Sn-Bi成分可控的高均勻混合型納米錫鉍合金粉，純度高、粒徑大小均勻、球形狀、分散性好、易混合燒結(jié)等，納米錫鉍合金粒子粒度小，熔點低，可以應用于半導體材料中。
應用領(lǐng)域
1、半導體材料中，低熔點錫鉍合金材料強度較低，因此在沖壓過程中不易出現(xiàn)拉傷，劃痕等缺陷，有利于提高沖壓零件的表面質(zhì)量；
2、做合金材料、粉末冶金材料添加劑，細化晶粒，彌散強化，改變材料的機械性能等。
技術(shù)支持
可以提供納米錫鉍合金粉在半導體材料、合金材料、粉末冶金中的應用技術(shù)支持，具體應用咨詢請與銷售部人員聯(lián)系。

包裝儲存
本品為惰氣防靜電包裝，應密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜長久暴露于空氣中，防受潮發(fā)生團聚，影響分散性能和使用效果。

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爾必達開發(fā)出25納米工藝內(nèi)存芯片

新浪科技訊北京時間5月3日下午消息，爾必達周二宣布，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于25納米制程工藝的2Gb DDR3內(nèi)存芯片。
爾必達最新內(nèi)存芯片可支持1866Mbps數(shù)據(jù)傳輸速率，并兼容低壓1.35伏1600Mbps數(shù)據(jù)傳輸。和爾必達30納米工藝相比，新工藝芯片每比特所需要的存儲單元空間降低30%，每片晶圓上的芯片產(chǎn)能提升30%。
爾必達將在今年7月份進行芯片樣品出貨和量產(chǎn)，并計劃在今年年底前量產(chǎn)25納米工藝4Gb DDR3顆粒。(曉明)