廈門韞茂ALD設備
一、雙腔室高真空等離子體ALD設備核心參數：
產地類別：國產原子層沉積系統（ALD）
襯底尺寸：Ф200mm
工藝溫度：RT-500±1oC
前驅體數：可包括3組等離子體反應氣體4組液態或固態反應前驅體
重量：300KG
尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm
均勻性：均一性<1%
二、雙腔室高真空等離子體ALD設備應用原理分析：
原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、高保形的納米薄膜。
等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對ALD技術的擴展，通過等離子體的引入，產生大量活性自由基，增強了前驅體物質的反應活性，從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求，縮短了反應周期的時間，同時也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實現低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
ALD設備
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