廈門韞茂ALD設(shè)備
一、雙腔室高真空等離子體ALD設(shè)備核心參數(shù)：
產(chǎn)地類別：國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)（ALD）
襯底尺寸：Ф200mm
工藝溫度：RT-500±1oC
前驅(qū)體數(shù)：可包括3組等離子體反應(yīng)氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體
重量：300KG
尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm
均勻性：均一性<1%
二、雙腔室高真空等離子體ALD設(shè)備應(yīng)用原理分析：
原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、高保形的納米薄膜。
等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對ALD技術(shù)的擴展，通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求，縮短了反應(yīng)周期的時間，同時也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
ALD設(shè)備
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