無錫科微IGBT、、晶閘管，日立能源IGBT、GTO、IGCT等，上海瞻芯SiC分立器件等
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產(chǎn)品品牌瞻芯電子
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更新日期2024-09-02 10:11
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品牌： |
瞻芯電子 |
所在地： |
江蘇 無錫市 |
起訂： |
≥1 只 |
供貨總量： |
9999 只 |
有效期至： |
長期有效 |
VDS： |
1200V |
Ron： |
13.5mΩ |
品牌： |
瞻芯電子 |
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET
特性
·第三代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15+18V門驅(qū)動
·高阻塞電壓低電阻
·高速開關(guān)低電容
·高操作結(jié)溫度能力
·非常快，健壯和軟恢復(fù)固有身體二極管
·開爾文門輸入緩解驅(qū)動電路設(shè)計
·AEC-Q101合格
應(yīng)用
·電動汽車電機驅(qū)動器
·太陽能MPPT和逆變器
·高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器
·開關(guān)模式電源
瞻芯電子提供以SiC功率器件、SiC驅(qū)動芯片、SiC模塊為核心的功率轉(zhuǎn)換解決方案，適用于：風(fēng)能逆變、光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、電機驅(qū)動、充電樁等領(lǐng)域
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