無(wú)錫科微IGBT、、晶閘管，日立能源IGBT、GTO、IGCT等，上海瞻芯SiC分立器件等
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產(chǎn)品品牌上海瞻芯電子
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更新日期2024-08-20 16:49
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品牌： |
上海瞻芯電子 |
所在地： |
江蘇 無(wú)錫市 |
起訂： |
≥1 只 |
供貨總量： |
10000000000 只 |
有效期至： |
長(zhǎng)期有效 |
VDS： |
1200V |
Ron： |
13.5mΩ |
品牌： |
瞻芯電子 |
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET
特性
·第三代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15+18V門驅(qū)動(dòng)
·高阻塞電壓低電阻
·高速開關(guān)低電容
·高操作結(jié)溫度能力
·非常快，健壯和軟恢復(fù)固有身體二極管
·開爾文門輸入緩解驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
·AEC-Q101合格
應(yīng)用
·電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
·太陽(yáng)能MPPT和逆變器
·高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器
·開關(guān)模式電源
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