天津中環電爐股份有限公司
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產品用途：

此款CVD生長系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容MLCC）氣氛燒結等實驗。

產品組成：

此款CVD系統配置：

1.1200度開啟式真空管式爐可選配單溫區、雙溫區）。

2.多路質量流量控制系統

3.真空系統可選配中真空或高真空）     

產品特點：

1 控制電路選用模糊PID程控技術，該技術控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。

2 氣路快速連接法蘭結構采用本公司獨有的知識產權設計,提高操作便捷性。

3 中真空系統具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統采用高壓強，耐沖擊分子泵

 防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統使用壽命。