NANOTRAC WAVE II納米粒度及zeta電位儀采用先進的“Y”型光纖探針光路設計，配置膜電極產(chǎn)生微電場，操作簡單，測量迅速，無需精確定位由于電泳和電滲等效應導致的靜止層，無需外加大功率電場，無需更換分別用于測量粒度和Zeta電位的樣品池，完全消除由于空間位阻（不同光學元器件間的傳輸損失，比色皿器壁的折射和污染，比色皿位置的差異，分散介質的影響，顆粒間多重散射等）帶來的光學信號的損失，結果準確可靠，重現(xiàn)性好。

納米粒度測量——先進的動態(tài)光背散射技術

Zeta電位測量：Microtrac MRB以其在激光衍射/散射技術和顆粒表征方面的獨到見解，經(jīng)過多年的市場調研和潛心研究，開發(fā)出新一代NANOTRAC WAVE II微電場分析技術，融納米顆粒粒度分布與Zeta電位測量于一體，無需傳統(tǒng)的比色皿，一次進樣即可得到準確的粒度分布和Zeta電位分析數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)的Zeta電位分析技術相比，NANOTRAC WAVE II采用先進的“Y”型光纖探針光路設計，配置膜電極產(chǎn)生微電場，操作簡單，測量迅速，無需精確定位由于電泳和電滲等效應導致的靜止層，無需外加大功率電場，無需更換分別用于測量粒度和Zeta電位的樣品池，完全消除由于空間位阻（不同光學元器件間的傳輸損失，比色皿器壁的折射和污染，比色皿位置的差異，分散介質的影響，顆粒間多重散射等）帶來的光學信號的損失，結果準確可靠，重現(xiàn)性好。

NANOTRAC WAVE II納米粒度及zeta電位儀測量原理：

粒度測量：動態(tài)光背散射技術和全量程米氏理論處理

Zeta電位測量：膜電極設計與“Y”型探頭形成微電場測量電泳遷移率

分子量測量：水力直徑或德拜曲線

光學系統(tǒng)：

3mW780nm半導體固定位置激光器，通過梯度步進光纖直接照射樣品，在固定位置用硅光二極管接受背散射光信號，無需校正光路。

軟件系統(tǒng)：

先進的FLEX軟件提供強大的數(shù)據(jù)處理能力，包括圖形，數(shù)據(jù)輸出/輸入，個性化輸出報告，及各種文字處理功能，如PDF格式輸出, Internet共享數(shù)據(jù)，Microsoft Access格式（OLE）等。體積，數(shù)量，面積及光強分布，包括積分/微分百分比和其他分析統(tǒng)計數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的完整性符合21 CFR PART 11安全要求，包括口令保護，電子簽名和授權等。

外部環(huán)境：

電源要求：90-240VAC，5A，50/60Hz

環(huán)境要求：溫度，10-35°C

國際標準：符合ISO13321，ISO13099-2:2012 和 ISO22412:2008