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更新日期2020-09-07 15:19
品牌： |
未填 |
所在地： |
廣東 深圳市 |
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未填 |
供貨總量： |
未填 |
有效期至： |
長期有效 |
上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 100, 離子束可聚焦, 平行, 散射.
KRI 射頻離子源屬于大面積射頻離子源, 離子束流: >350 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量(Typical flow):5-30 sccm
采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.
離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養/ 維修/ 安裝.
適用于離子濺鍍和離子蝕刻, 實現完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數:
|
型號 |
RFICP 100 |
|
Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>350 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
10 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
23.5 cm |
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直徑 |
19.1 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
伯東KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 應用領域:
1. 預清洗
2. 表面改性
3. 輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
4. 濺鍍和蒸發鍍膜 PC
5. 離子濺射沉積和多層結構 IBSD
6. 離子蝕刻 IBE
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