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圖片	標(biāo) 題	更新時間
	IV2Q12080T4Z 一 IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15V+18V門驅(qū)動器·高阻塞電壓與低電阻	2024-09-25
	IV2Q12017T4Z 一 IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+18V門驅(qū)動·高阻塞電壓與低電阻·高速	2024-09-25
	IV1Q12080T4Z 一 IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特點(diǎn)· 高壓、低導(dǎo)通電阻· 高速、寄生電容小·高工作結(jié)溫· 快速恢復(fù)體二極管· 開爾文	2024-09-25
	供應(yīng)IV1Q12080T4Z IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特點(diǎn)· 高壓、低導(dǎo)通電阻· 高速、寄生電容小·高工作結(jié)溫· 快速恢復(fù)體二極管· 開爾文	2024-09-07
	供應(yīng)IV2Q12017T4Z IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+18V門驅(qū)動·高阻塞電壓與低電阻·高速	2024-09-07
	供應(yīng)IV2Q12080T4Z IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15V+18V門驅(qū)動器·高阻塞電壓與低電阻	2024-09-07
	供應(yīng)IV3Q12013T4Z IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15+18V門驅(qū)動·高阻塞電壓低電阻·高	2024-09-07
	IV3Q12013T4Z IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15+18V門驅(qū)動·高阻塞電壓低電阻·高	2024-09-04

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