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深圳市大芯超導有限公司

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公司檔案
公司名稱: 深圳市大芯超導有限公司 公司類型: 企業(yè)單位 ()
所在地區(qū): 廣東/深圳市 公司規(guī)模:
注冊資本: 未填寫 注冊年份: 2012
資料認證:
保  證  金: 已繳納 ¥0.00
經營范圍: Wolfspeed-CREE碳化硅SiC MOSFET國產替代,英飛凌碳化硅SiC MOSFET國產替代,ON安森美碳化硅SiC MOSFET國產替代,英飛凌碳化硅MOSFET模塊國產替代,英飛凌混合SiC-IGBT單管國產替代,IMZA120R040M1H國產替代,IMW120R040M1H國產替代,IMW120R045M1國產替代,C3M0075120D國產替代,C3M0160120D國產替代,C3M0040120K國產替代,I型NPC1三電平IGBT模塊,T型NPC2三電平IGBT模塊,英飛凌IGB
銷售產品: 英飛凌IGBT單管國產替代,英飛凌混合IGBT單管國產替代,英飛凌IGBT模塊國產替代,BGH50N65HF1,IKW50N65RH5國產替代,AIKW50N65RF5國產替代,IKW50N65SS5國產替代,英飛凌混合SiC-IGBT單管國產替代,BGH50N65ZF1,IKW50N65ET7國產替代,IKW50N65ES5國產替代,BGH75N65HF1,IKW75N65RH5國產替代,IKW75N65SS5國產替代,BGH75N65ZF1,IKW75N65ES5國產替代,IKW75N65ET7國產替
采購產品: 基本半導體,儲能變流器碳化硅MOSFET,光伏逆變器IGBT,SiC MOSFET,分立IGBT,混合IGBT模塊,混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT單管,混合IGBT單管,國產SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國產SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,國產TO263-7碳化硅MOSFE
主營行業(yè):
電子元器件
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