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KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):
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portant;">
射頻離子源型號 |
portant;">
RFICP380 |
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portant;">
Discharge 陽極 |
portant;">
射頻 RFICP |
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portant;">
離子束流 |
portant;">
>1500 mA |
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portant;">
離子動能 |
portant;">
100-1200 V |
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portant;">
柵極直徑 |
portant;">
30 cm Φ |
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portant;">
離子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
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portant;">
流量 |
portant;">
15-50 sccm |
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portant;">
通氣 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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portant;">
典型壓力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
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portant;">
長度 |
portant;">
39 cm |
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portant;">
直徑 |
portant;">
59 cm |
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portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
該復(fù)合磁控濺射沉積裝置主要包含：
1. 濺射源-KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380
2. 清洗源-KRI 霍爾離子源 eH3000
3. 高功率脈沖磁控濺射電源
4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace700
5. 基臺
KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.
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上海伯東: 羅先生 臺灣伯東: 王女士
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