KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數(shù):

該實驗以 99.9% 純度 Ti 靶和純度石墨靶為原材料, 通過離子濺射技術在硬質(zhì)合金表面制備 Ta-C涂層.

研究結果:

石墨靶濺射時間 55min 時制備的 Ta-C涂層綜合性能較優(yōu), 涂層摩擦系數(shù)較低達到 0.13, 對膜副表面形成了石墨轉移膜, 對 Ta-C 涂層起到潤滑作用.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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