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該廠商采用雙離子源濺射沉積系統(tǒng), 其中一個離子源采用伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 380 對靶材進行濺射, 另一個離子源采用伯東 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 對樣品進行離子刻蝕.
其工作示意圖如下：
用于濺射的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù):
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portant;">
射頻離子源型號 |
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RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
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射頻 RFICP |
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離子束流 |
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>1500 mA |
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portant;">
離子動能 |
portant;">
100-1200 V |
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portant;">
柵極直徑 |
portant;">
30 cm Φ |
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離子束 |
portant;">
聚焦 |
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portant;">
流量 |
portant;">
15-50 sccm |
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portant;">
通氣 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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portant;">
典型壓力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
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portant;">
長度 |
portant;">
39 cm |
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直徑 |
portant;">
59 cm |
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portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
推薦理由：
聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
用于刻蝕的 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù)：
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離子源型號 |
portant;">
離子源 KDC 100 |
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portant;">
Discharge |
portant;">
DC 熱離子 |
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離子束流 |
portant;">
>400 mA |
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離子動能 |
portant;">
100-1200 V |
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portant;">
柵極直徑 |
portant;">
12 cm Φ |
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portant;">
離子束 |
portant;">
平行 |
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portant;">
流量 |
portant;">
2-20 sccm |
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portant;">
通氣 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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portant;">
典型壓力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
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portant;">
長度 |
portant;">
23.5 cm |
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直徑 |
portant;">
19.4 cm |
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portant;">
中和器 |
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燈絲 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
推薦理由：
使用 KRI 平行型射頻離子源 RFICP 100 可以準(zhǔn)確、靈活地對樣品選定的區(qū)域進行刻蝕, 可以使大口徑光學(xué)元件 KDP 晶體表面更均勻
運行結(jié)果:
1. 濺射沉積的KDP晶體表面的均勻性在5%以內(nèi), 刻蝕均勻性在5%以內(nèi)
2. 離子束刻蝕可以消除KDP晶體表面周期性刀痕
3. KDP晶體表面粗糙度降低到1.5nm,達到了預(yù)期目的
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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