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薄膜表面粗糙度與機械零件的配合性質、耐磨性、疲勞強度、接觸剛度、振動和噪聲等有重要關系, 直接決定機械產品的使用壽命和可靠性. 因此, 某薄膜制造商為了獲得優質的 Cu 薄膜, 采用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 、霍爾離子源 eH 2000 和分子泵組 Hicube 30 Eco 輔助濺射沉積 Cu 薄膜.

該制造商的鍍膜機設備采用雙離子束濺射沉積系統, 該設備的本底真空為5x10^-5 Pa, 濺射氣體使用 Ar⁺ 粒子, 靶材成分為 99.99% Cu, 襯底為硅片.

其雙離子束濺射沉積系統工作示意圖如下：

其中雙離子源中的一個離子源適用于濺射靶材, 另個離子源是用于基材的預清洗.

用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380,

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數：

portant;"> 射頻離子源型號	portant;"> RFICP 380
portant;"> Discharge 陽極	portant;"> 射頻 RFICP
portant;"> 離子束流	portant;"> >1500 mA
portant;"> 離子動能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 柵極直徑	portant;"> 30 cm Φ
portant;"> 離子束	portant;"> 聚焦
portant;"> 流量	portant;"> 15-50 sccm
portant;"> 通氣	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型壓力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 長度	portant;"> 39 cm
portant;"> 直徑	portant;"> 59 cm
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

用于預清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 2000

伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 2000 技術參數:

portant;"> 離子源型號	portant;"> 霍爾離子源 eH2000
portant;"> Cathode/Neutralizer	portant;"> F or HC
portant;"> 電壓	portant;"> 50-300V
portant;"> 電流	portant;"> 10A
portant;"> 散射角度	portant;"> >45°
portant;"> 可充其他	portant;"> Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
portant;"> 氣體流量	portant;"> 2-75sccm
portant;"> 高度	portant;"> 4.0“
portant;"> 直徑	portant;"> 5.7“
portant;"> 水冷	portant;"> 是

其濺射室需要沉積前本底真空抽到1×10-5Pa, 經推薦采用伯東分子泵組 Hicube 30 Eco, 其技術參數如下：

分子泵組 Hicube 30 Eco 技術參數

portant;"> 泵組型號	portant;"> 進氣法蘭	portant;"> 分子泵型號	portant;"> 抽速氮氣l/s	portant;"> 極限真空 hPa	portant;"> 前級泵型號	portant;"> 前級泵抽速 m3/h
portant;"> Hicube 30 Eco	portant;"> DN 40 ISO-KF	portant;"> Hipace 30	portant;"> 22	portant;"> 1X10-7	portant;"> MVP 030-3	portant;"> 1.8

實際運行結果：

雙離子束濺射制備的薄膜由于其他方法生長的薄膜, 薄膜的表面平整度、厚度均勻性更好
絕對沉積角必須要避開 25°附件的位置, 這一位置的粗糙度太大, 生長出的薄膜表面的各方面性質遠低于其他位置

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
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射頻離子源RFICP 380和分子泵組用于濺射沉積Cu薄膜

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數：

伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 2000 技術參數:

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